檢索結果：共76筆資料 檢索策略： "氧".ckeyword (精準) and year="101"
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室內密閉空間因空氣不流通造成氧氣含量不足常導致注意力下降、缺氧不適或導致生病，為解決這項問題，本研究研製出一導氧元件(Oxygen Activator Unit, OAU)，其功能是將密閉空間外之氧…
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氧化釓摻雜氧化鈰(Gd2O3-Doped CeO2, GDC)固態電解質材料被認為最有潛力可取代傳統氧化釔安定氧化鋯(Yttria-Stabilized Zirconia, YSZ)電解質並應用於中…
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本研究以具有銦錫氧化物(Indium tin oxide，ITO)薄膜的玻璃為基材，反應濺鍍氧化矽中間電阻層，濺鍍摻鋁氧化鋅(Aluminum-doped zinc oxide，AZO)為上電極，製…
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I have no Chinese abstract.
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本論文旨在探討將二氧化鈦與三氧化鎢做結合並分析其電致色變與光催化特性。實驗首先以磁控式濺鍍沉積純鎢薄膜，利用熱化學氣相沉積系統對純鎢薄膜進行二步退火的方式成長三氧化鎢奈米線，接著在沉積純鈦薄膜於三氧…
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本論文主要對於金屬氧化物半導體薄膜奈米結構中alpha相單斜結構三氧化二鉍(alpha-Bi2O3)、立方結構三氧化二銦(c-In2O3)以及岩鹽結構(rock-salt)氧化鎳(NiO)加以研究以…
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本研究以磁控濺鍍之方式，製作氧化白金(Oxide Platinum)、純白金(Pure Platinum) 以及共濺鍍Pt + YSZ 等三種不同電極於多孔性陽極氧化鋁(anodic aluminu…
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本研究係利用陽極氧化法製備出二氧化鈦奈米管陣列(TNA)，在室溫下以含氟的EG/H2O電解液中，利用陽極氧化法在純鈦表面製備了規則有序的TiO2奈米管陣列。 本實驗結果發現，平坦型的二氧化鈦奈米管陣…
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此研究以反應式離子束濺鍍法於SiO2/Si基版及石英基板上沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜，探討氬/氧流量及基板溫度對所沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜之影響。研究結果顯示在300℃或400℃所沉積之氧化銅/氧化亞…
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本研究以積體電路相匹配之Al、TaN作為上、下電極，以取代昂貴之白金(Pt)作為電極，並採用微波電漿氧化或反應式濺鍍製備中間電阻層TaOxNy，製成Al/TaOxNy/TaN、TaN/TaOxNy/…